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昭和電工、高品質グレードのパワー半導体用SiCエピウェハの生産能力を増強

昭和電工、高品質グレードのパワー半導体用SiCエピウェハの生産能力を増強

  • マイナビニュース
  • 更新日:2017/09/15

昭和電工は9月14日、パワー半導体の材料であるSiCエピタキシャルウェハ(エピウェハ)の高品質グレード品「ハイグレードエピ(HGE)」の生産能力を現在の月産3000枚から、2018年4月より5000枚に拡大する計画を発表した。

SiCは、次世代のパワー半導体として注目されており、高い成長が見込まれている。高電圧・大電流に耐えうるパワーモジュールには主にSBD(ショットキーバリアダイオード:Sch

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