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二硫化モリブデンへの電子線照射でバンドギャップをコントロール - 千葉大

二硫化モリブデンへの電子線照射でバンドギャップをコントロール - 千葉大

  • マイナビニュース
  • 更新日:2016/10/19

千葉大学は10月17日、原子層物質の一種である二硫化モリブデン(MoS2)に、走査電子顕微鏡で電子線を照射するだけで、半導体として重要なバンドギャップが大きくなる現象を発見したと発表した。
同成果は、千葉大学大学院融合科学研究科ナノサイエンス専攻 青木伸之准教授らの研究グループによるもので、10月6日付けの米国化学会誌「ACS Nano」オンライン版に掲載された。
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