最新ランキングをチェックしよう
IEDM 2017 - IMECがGaイオン注入によるGe基板の高性能化を実現

IEDM 2017 - IMECがGaイオン注入によるGe基板の高性能化を実現

  • マイナビニュース
  • 更新日:2017/12/11

ベルギーの独立系半導体ナノテクノロジー研究機関であるIMECは、米国サンフランシスコで12月2日から6日にかけて開催されている半導体デバイス技術に関する国際学会「2017 International Electron Devices Meeting(IEDM 2017)」において、「p型Ge基板にGaに高濃度ドープしたソース/ドレインを用いることで、5×10-10Ωcm2の低接触抵抗率を実現した」

外部サイトで読む

今、こんな記事が人気です!

この記事をお届けした
グノシーの最新ニュース情報を、

でも最新ニュース情報をお届けしています。

外部リンク

今、話題のニュース

グノシーで話題の記事を読もう!
メーガン妃の父、娘から経済的支援ないと激怒
津市職員が10代少女とホテルでわいせつ行為 「思わぬ通報者」に称賛の声
『水曜日のダウンタウン』店員が裏で客の悪口 「最悪」「怖くなった」と騒然
高齢者の間で「意外な大ヒット商品」が続出している理由
  • このエントリーをはてなブックマークに追加