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IEDM 2017 - IMECがGaイオン注入によるGe基板の高性能化を実現

IEDM 2017 - IMECがGaイオン注入によるGe基板の高性能化を実現

  • マイナビニュース
  • 更新日:2017/12/11

ベルギーの独立系半導体ナノテクノロジー研究機関であるIMECは、米国サンフランシスコで12月2日から6日にかけて開催されている半導体デバイス技術に関する国際学会「2017 International Electron Devices Meeting(IEDM 2017)」において、「p型Ge基板にGaに高濃度ドープしたソース/ドレインを用いることで、5×10-10Ωcm2の低接触抵抗率を実現した」

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