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スピントロニクスデバイスの新たな指針 - 金属強磁性体の電界制御に成功

スピントロニクスデバイスの新たな指針 - 金属強磁性体の電界制御に成功

  • マイナビニュース
  • 更新日:2018/01/16

理化学研究所(理研)は1月15日、原子レベルで制御可能な酸化物界面において、磁化とnmサイズの渦状の磁気スピンの配列(スキルミオン)に由来する輸送特性を電界で制御することに成功したと発表した。

同成果は、理研 創発物性科学研究センター 強相関物理部門 強相関界面研究グループの大内祐貴 研修生(東京大学大学院 博士課程)、松野丈夫 専任研究員、小塚裕介 客員研究員(東京大学大学院 講師)、打田正輝

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